近期，武汉新芯向相关部门提交了三份融资备案申请，即高带宽存储器用多晶圆三维集成技术研究及产业化项目、C2W混合键合技术研发和产线建设项目以及高容值密度深沟槽
首先，针对高带宽存储器用多晶圆三维集成技术研究及产业化项目，武汉新芯计划运用三维集成多晶圆堆叠技术研发并建立生产线台生产设备以实现每月产量不低于3000片（12英寸）。
其次，在C2W混合键合技术研发和产线建设项目方面，该企业采用三维集成芯粒与晶圆混合键合（C2W）工艺平台，通过整合独立制造的芯粒和晶圆，实现三维高密度互连，进一步提高集成芯片的性能优异性和良品率。
此外，企业还规划了芯粒与晶圆混合键合技术的产业化实施，预计新增27台设备以期达到每月产出3000片（12英寸）的预期目标。k8凯发天生赢家一触即发
最后，在高容值密度深沟槽电容制造工艺技术研发项目上，武汉新芯计划利用先进光刻、刻蚀、高级介电常数介质沉积和多层重布线等工艺技术，研发出具有高电容密度、低漏电流、高击穿电压和稳定电容值等特性的深沟槽电容产品。旨在推动国产深沟槽电容芯片自给自足，预计增投14台设备可达成每月生产1000片12英寸晶圆的目标。
值得留意的是，2月29日，天眼查显示武汉新芯发生多项工商变更，原股东长江存储科技控股有限责任公司已退出，现新增投资者包括中国互联网投资基金（有限合伙）、中银金融资产投资有限公司、建信金融资产投资有限公司、农银金融资产投资有限公司等。同时，武汉新芯的注册资本也由约57.82亿元增至约84.79亿元，涨幅高达46.64%。此外凯发k8，该公司多位高层也进行了职务变动。
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